金環(huán)宇電纜：同軸電纜的屏蔽衰減因素
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來(lái)源：金環(huán)宇電纜發(fā)布日期：2020-04-21 10:16
物理發(fā)泡聚乙烯同軸電纜的屏蔽衰減主要取決以下幾個(gè)因素：
1：鋁箔搭接寬度不少于5mm。
2：鋁層厚度建議提高到15µm以上，甚至可以更高到30µm。
3：合理安排衰減，回波，屏蔽的關(guān)系，前者和后2者相互矛盾，在衰減合格條件下合理降低發(fā)泡度，對(duì)提高屏蔽效果和回波都有利。
4：鋁箔質(zhì)量要好，尤其柔韌性好，經(jīng)過(guò)各種彎曲而無(wú)裂紋。
5：編織的縱包工藝要提高，以免帶子中間褶皺，形成縫隙或者減少了搭接寬度，引起泄露。
6：合理的編織密度。高密度對(duì)屏蔽有少許補(bǔ)償，但是如果編織密度過(guò)高，在高頻時(shí)，大密度編織電纜使得“邊頻差值”增大，從而放大補(bǔ)償?shù)碾y度加大，對(duì)電纜性能產(chǎn)生影響。一般40%即可。
7：電纜的敷設(shè)過(guò)程要避免在小孔或者狹縫中強(qiáng)拉，使鋁箔產(chǎn)生裂紋或斷裂。
